未找到相关数据
电流增益与IGBT的开通及关断特性
被引：4
作者：
张华曹
机构：
[1] 西安理工大学
来源：
关键词：
IGBT,通态压降,通态和关断特性,αpnp最佳值;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN307 [测量和检验];
TN386.2 [绝缘栅场效应器件];
学科分类号：
080508 [光电信息材料与器件];
080903 [微电子学与固体电子学];
摘要：
阐述了关于协调ＩＧＢＴ通态压降和关断时间的最佳关系。在工艺过程中，控制双极晶体管电流增益αｐｎｐ的最佳值，就可调整通态和关断特性的相互关系。
引用
收藏
页数：3
相关论文