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宽禁带半导体功率器件
被引：17
作者：
刘海涛
陈启秀
机构：
[1] 浙江大学信电系功率器件研究所
来源：
关键词：
宽禁带半导体,功率器件,碳化硅,金刚石;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN323.4 [];
学科分类号：
摘要：
阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
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页数：5
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