PECVDSiNx薄膜应力的研究<spanid="corr-video"class="type"style="display:none">附视频</span>

被引：20

作者：

赵永军

王民娟

杨拥军

梁春广

机构：

[1] 电子部第研究所!石家庄

来源：

半导体学报 | 1999年 / 03期

关键词：

PECVD SiN_x; 气体流量; 微电子; 机械应力; 拉应力; 薄膜应力; 等离子增强化学气相淀积; 功率源;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系 .讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理 .通过工艺条件的合理选择 ,做出了 0 .8～ 1 .0 μm厚的无应力的 PECVD Si Nx 薄膜

引用

页码：183 / 187

页数：5