MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化

被引：2

作者：

章勇

范广涵

机构：

[1] 华南师范大学光电子材料与技术研究所

来源：

光电子·激光 | 2006年 / 08期

关键词：

电致发光(EL); 聚合物多层; 半高宽(FWHM); 红移;

D O I：

10.16136/j.joel.2006.08.005

中图分类号：

TN383.1 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

研制了一种基于ITO/PEDOT/P-PPV/MEH-PPV/PFO/Ba/Al的多层结构器件,实现MEH-PPV发光峰的窄化和红移。该器件使MEH-PPV发射峰的半高宽(FWHM)由纯MEH-PPV单层的91nm减小到32nm,发光峰相对于MEH-PPV单层的582nm红移了20nm,相应的色坐标(CIE1931)由单层的(0.56,0.33)变为(0.62,0.38)。这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应。

引用

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