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圆盘微电极的卷积和交流伏安行为
被引:2
作者
:
董绍俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院长春应用化学研究所
董绍俊
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
贺军
机构
:
[1]
中国科学院长春应用化学研究所
来源
:
应用化学
|
1988年
/ 05期
关键词
:
微电极;
卷积法;
交流伏安法;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
研究了可逆氧化还原对(以二茂铁为例)在圆盘微铂电极上的卷积法,包括一阶导数卷积(e),二阶导数卷积(e′),三阶导数卷积(e″)的行为.结果表明,在微电极上的 e-E曲线类似于常规电极的循环伏安曲线。e、e′和e″曲线的峰高与扫速幂次的关系与悬汞电极上的规律相符,但其值分别为0.5、1.5、2.5.还研究了微电极的交流伏安行为,得到铁氰化钾的特征电位值。
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页码:63 / 66
页数:4
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