退火对直流磁控溅射铬膜附着性的影响

被引：1

作者：

范洪远

向文欣

李伟

应诗浩

彭倩

沈保罗

机构：

[1] 四川大学

[2] 中国核动力研究设计院

[3] 四川大学成都

[4] 成都

来源：

核动力工程 | 2003年 / 02期

关键词：

退火; 直流磁控溅射; 铬膜; 附着性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG174.444 [真空镀与气相镀法];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

为了利用铬膜改善锆的抗腐蚀性,研究了退火对Zr-2基体上制备的直流磁控溅射铬膜附着性的影响。使用扫描电镜(SEM)观察了界面形貌及锆、铬的界面分布,用X-射线衍射仪(XRD)分析了膜层的组成,用划痕法测定了铬膜的附着性。结果表明:锆/铬界面结合良好,边界可见;与现有文献比较,获得的铬膜附着性好——均超过20N;溅射后退火使Zr-Cr界面更像扩散界面,但X-射线衍射结果未发现有界面反应产物;退火提高铬膜与Zr-2基体的附着性约50%,扩散附着是附着性增加的主要因素。

引用

页码：149 / 152

页数：4

共 12 条

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