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绝缘子直流污闪试验电源容量的研究
被引:3
作者
:
王遵
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
水利电力部电力科学研究院
王遵
郑健超
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机构:
水利电力部电力科学研究院
郑健超
刘燕生
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机构:
水利电力部电力科学研究院
刘燕生
机构
:
[1]
水利电力部电力科学研究院
来源
:
高电压技术
|
1984年
/ 02期
关键词
:
绝缘子污闪;
电压降;
电源;
电压;
闪络电压;
污闪试验;
盐密;
泄漏电流;
动态电压;
电源容量;
D O I
:
10.13336/j.1003-6520.hve.1984.02.008
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文讨论了闪络电压和短路电流、滤波电容器容量、电压降的关系。发现闪络电压的误差和动态电压降的平均值之间有一确定的关系。进行直流污闪试验的电源容量是由电源的交流侧容量和滤波电容器容量共同决定的。通过对大量示波图的分析得出,临界泄漏电流下的动态电压降是决定闪络能否发生的关键,并对不同盐密下临界泄漏电流和波形进行了统计分折。为了研究泄漏电流的波形和回路参数对电压降的影响,还采用了模拟试验和计算机计算的方法。试验、模拟和计算三者的结果是一致的。
引用
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页数:8
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[1]
Studies on performance of contaminated Insulators energized with DC Voltage Vol, PAS-100, No. T.Seta,K.Nagai,K.Naito,Y·Hasegawa. . 1981
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