RTV/纳米层状硅酸盐复合绝缘的抗电痕性

被引：17

作者：

蓝磊

文习山

蔡登科

刘辉

机构：

[1] 武汉大学电气工程学院,武汉大学电气工程学院,武汉大学电气工程学院,武汉大学电气工程学院武汉,武汉,武汉,武汉

来源：

高电压技术 | 2005年 / 04期

关键词：

室温硫化硅橡胶; 抗电痕性; 纳米技术;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2005.04.009

中图分类号：

TM215 [固体电介质];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

为提高RTV的抗电痕性,用纳米技术对其改性,合成RTV纳米复合材料并试验研究了它的耐漏电起痕及电蚀损能力,分析层状纳米材料的抗电痕机理的结果表明,层状纳米材料可大大提高RTV的抗电痕性。

引用

页码：19 / 20+26 +26

页数：3

共 10 条

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