等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

被引：4

作者：

王新强

杨树人

王金忠

李献杰

殷景志

姜秀英

杜国同

杨如森

高春晓

Ong H．C．

机构：

[1] 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区

[2] 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室吉

来源：

高等学校化学学报 | 2002年 / 05期

关键词：

ZnO薄膜; 光荧光; 原子力显微镜（AFM）;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304．055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．

引用

页码：927 / 931

页数：5

共 3 条

[1] Rietveld全谱拟合表征掺杂ZnO陶瓷 [J].