IGBT的死区补偿方法研究

被引:22
作者
于泳
魏彦江
王高林
机构
[1] 哈尔滨工业大学
关键词
电力半导体器件; 死区; 补偿; 脉宽调制;
D O I
暂无
中图分类号
TN386 [场效应器件];
学科分类号
080508 [光电信息材料与器件];
摘要
对三相桥式逆变器死区效应进行了理论分析。阐述了死区效应对逆变器输出电压的影响。介绍了加入一种死区时间的方法,在此基础上提出了一种基于SVPWM控制的逆变器死区补偿方法,即对称补偿法。该方法有效地改善了死区效应引起的电流畸变,实验结果证明了理论分析的正确性和该方法的可行性和有效性,并成功用于变频器的设计中。
引用
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