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IGBT的死区补偿方法研究
被引:22
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
于泳
魏彦江
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
哈尔滨工业大学
魏彦江
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王高林
机构
:
[1]
哈尔滨工业大学
来源
:
电力电子技术
|
2007年
/ 12期
关键词
:
电力半导体器件;
死区;
补偿;
脉宽调制;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN386 [场效应器件];
学科分类号
:
080508
[光电信息材料与器件]
;
摘要
:
对三相桥式逆变器死区效应进行了理论分析。阐述了死区效应对逆变器输出电压的影响。介绍了加入一种死区时间的方法,在此基础上提出了一种基于SVPWM控制的逆变器死区补偿方法,即对称补偿法。该方法有效地改善了死区效应引起的电流畸变,实验结果证明了理论分析的正确性和该方法的可行性和有效性,并成功用于变频器的设计中。
引用
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页码:126 / 128
页数:3
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