1000kV瓷外套MOA电阻片与瓷套电位关系的研究

被引：9

作者：

王琼 ^{[1
]}

安翠翠 ^{[1
]}

马文玲 ^{[2
]}

窦小晶 ^{[1
]}

刘航 ^{[1
]}

张源斌 ^{[1
]}

机构：

[1] 西安交通大学电气工程学院

[2] 长安大学理学院物理系

来源：

电瓷避雷器 | 2008年 / 02期

关键词：

MOA; 电位分布; 并联电容; 有限元法;

D O I：

10.16188/j.isa.1003-8337.2008.02.007

中图分类号：

TM862 [过电压保护装置];

学科分类号：

080803 ;

摘要：

依据实体模型,采用有限元ANSYS分析软件对1000kV系统用瓷外套MOA建立2-D模型,进行场强和电位分布计算。比较了采用并联均压电容前后MOA内部电阻片与瓷套内侧的电位和场强分布的变化,结果表明:MOA电阻片与瓷套内侧容易发生放电或闪络现象的位置分别为,第一节单元距单元上法兰的1/6～1/5处和第四节单元距单元上法兰的1/6～1/5处;并联均压电容之后,各单元电阻片上的场强和承担的电压趋于均匀化,但某些单元的径向场强和电位差变大,不利于MOA的安全运行。

引用

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页数：4

共 4 条

[1] 1000kV交流特高压瓷外套金属氧化物避雷器的结构分析 [J].