氧气氛中p-GaN/Ni/Au电极在相同温度不同合金时间下的欧姆接触形成机制和扩散行为

被引：3

作者：

丁志博

王坤

陈田祥

陈迪

姚淑德

机构：

[1] 北京大学物理学院

来源：

物理学报 | 2008年 / 04期

关键词：

GaN; 卢瑟福背散射/沟道; 欧姆接触;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

用卢瑟福背散射/沟道技术研究了p-GaN上的Ni/Au电极在氧气氛下相同合金温度(500℃)不同合金时间后的微结构演化,以揭示欧姆接触的形成机制.利用背散射随机谱和RUMP模拟程序研究了电极金属之间的互扩散,用沟道谱探测了电极金属中的氧分布.结合不同合金时间下比接触电阻ρc的变化,发现随着合金时间的延长比接触电阻持续降低,在合金时间60s后降低的速度减慢,Au扩散到GaN的表面,在p-GaN上形成外延结构,O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用,表明合金后Ni/Au双层电极中层反转效应已经发生,这种结构变化是形成欧姆接触的有效机制.在相同合金温度(500℃)不同合金时间中,氧气氛中的p-GaN/Ni/Au电极在合金时间为300s时形成的欧姆接触效果最佳.

引用

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