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导引磁场对无箔二极管电子束形成的影响
被引:1
作者
:
刘列
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国防科技大学理学院
刘列
刘永贵
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
国防科技大学理学院
刘永贵
机构
:
[1]
国防科技大学理学院
[2]
国防科技大学理学院 长沙
[3]
长沙
来源
:
高电压技术
|
2002年
/ 03期
关键词
:
导引磁场;
无箔二极管;
电子束形成;
D O I
:
10.13336/j.1003-6520.hve.2002.03.003
中图分类号
:
TN31 [半导体二极管];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
无箔二极管中电子束的扩张和传输完全依赖于外加导引磁场控制。在考虑阴极杆发射的情况下,用PIC方法模拟了无箔二极管中电子束形成过程,据此对导引磁场和阴阳极结构的优化设计提出一些建议。
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相关论文
共 2 条
[1]
Blumlein线中绝缘支撑的数值模拟研究
[J].
刘列
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机构:
国防科技大学理学院
刘列
;
刘永贵
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0
机构:
国防科技大学理学院
刘永贵
.
高电压技术,
2001,
(05)
:9
-10+12
[2]
强流带电粒子束物理学导论.[M].(美)米勒著;刘锡三等译;.原子能出版社.1990,
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