用（Si＋Mo）合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨

被引：5

作者：

胡冬，夏非，关振铎

机构：

[1] 中国科学院金属研究所，清华大学材料科学与工程系

来源：

关键词：

碳化硅，二硅化钼，浸渗，烧结;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.1996.03.018

中图分类号：

TQ174.758 [];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

探讨了用（Ｓｉ＋Ｍｏ）合金浸渗反应烧结ＳｉＣ，研制了烧结温度为１６５０℃的反应烧结ＳｉＣ，并且探索了以难熔的第二相ＭｏＳｉ＿２取代反应烧结ＳｉＣ方法。所获得的ＳｉＣ／ＭｏＳｉ＿２复合材料的相对密度为９６．４５％。检测了烧结体的微观结构及力学性能，并进行了讨论。

引用

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