不同沉积气体对多弧法制备TiC膜的影响

被引：4

作者：

辛煜

程珊华

宁兆元

沈明荣

许杞安

机构：

[1] 苏州大学物理科学与技术学院!江苏苏州

来源：

功能材料 | 2000年 / 03期

关键词：

碳化钛; 气体; 沉积; X射线光电子能谱; X射线衍射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ13 [金属元素的无机化合物化学工业];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

采用两种不同的沉积气体CH4 和C2 H2 分别在SUS3 0 4不锈钢基片上用多弧离子法沉积TiC硬质膜。XPS结果表明 ,用C2 H2 作为沉积气体制备TiC膜中的sp2 杂化的碳多于用CH4 作为沉积气体制备的TiC膜。XRD表明 ,用CH4 气体沉积TiC膜的 ( 111)峰为择优取向 ,但用C2 H2 气体沉积的TiC膜却朝着 ( 111)和 ( 2 2 0 )取向竞争生长。TiC薄膜的高硬度某种程度上取决于TiC( 2 2 0 )峰的丰度。

引用

页码：331 / 332

页数：2

共 11 条

[1]

Wahlstrom U,Hultman L,Sundgren J E,et al. Thin Solid films . 1993

[2]

Zhukov V P,Gubanov V A,Jepsen O,et al. Journal of Physics and Chemistry of Solids . 1988

[3]

Bruhwiler P A,Maxwell A J,Puglia C,et al. Physical Review Letters . 1995

[4]

Syamal Ghosh K,Mark S Kohler. Surface and Coatings Technology . 1992

[5]

Deng J G,Braun Manuel,Gudowska Irena. Journal of Vacuum Science and Technology . 1994

[6]

Tamura M,Kubo H. Surface and Coatings Technology . 1991

[7]

Morar J F,Himpsel F J,Hollinger G,et al. Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics . 1996

[8]

Diaz Javier,Paolicelli Guido,Ferror Salvador,et al. Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics . 1995

[9]

Jhi Seung-Hoon,Ihm Jisoon. Physical Review . 1997

[10]

Vancoille E,Celis J P,Roos J R. Thin Solid films . 1993

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