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TiAlN 保护膜的制备及结构研究
被引：1
作者：
胡作启
李佐宜
熊锐
徐瑛
机构：
[1] 华中理工大学电子科学与技术系
来源：
关键词：
TiAlN薄膜；结构；X射线光电子能谱;
D O I：
10.13245/j.hust.1998.04.010
中图分类号：
O482.41 [压电现象、电致伸缩];
学科分类号：
摘要：
用反应磁控溅射方法制备了ＴｉＡｌＮ薄膜，结构分析表明，当Ｔｉ的含量小于０．２５时，ＴｉＡｌＮ薄膜是Ａｌ基氮化物的闪锌矿结构，但晶格常数随Ｔｉ原子含量的增加而增大．Ｘ射线光电子能谱分析表明，ＴｉＡｌＮ薄膜有与ＡｌＮ和ＴｉＮ不同的电子结构特征．
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