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事件相关电位在脑损伤中的临床应用
被引：2
作者：
李玲
白玲
机构：
[1] 华中科技大学同济医学院附属协和医院传染科
[2] 华中科技大学同济医学院附属协和医院急诊科
来源：
关键词：
事件相关电位;
脑损伤;
记忆紊乱;
D O I：
暂无
中图分类号：
R741 [神经病学];
学科分类号：
摘要：
研究表明事件相关电位是衡量皮质刺激过程的一种客观尺度,可在临床功能紊乱的一个很大范围内反映感知过程的变化。阐述事件相关电位在昏迷、轻度脑损伤注意力不足及记忆紊乱等方面的临床应用。
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