大F数硅微透镜阵列的制作及光学性能测试研究

被引：3

作者：

何苗

易新建

程祖海

黄光

刘鲁勤

机构：

[1] 华中科技大学激光技术国家重点实验室!武汉

[2] 航天机电集团二院二部!北京

来源：

中国激光 | 2000年 / 12期

关键词：

微透镜阵列; 离子束刻蚀; 光刻胶; 点扩散函数;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

提出了一种补偿刻蚀法 :在经过常规光刻热熔成形和离子束刻蚀技术制成的硅微透镜阵列上再涂敷几层光刻胶 ,以降低各单元微透镜的曲率 ,然后再次进行加热固化和离子束刻蚀。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的球冠形阵列 ,表面探针测试结果显示用补偿刻蚀法制作的微透镜的 F数和 F′数分别可达到 31.62和 35.88,而常规光刻热熔法很难制作出 F数和 F′数分别超过 1.0 0和 4 .0 0的微透镜阵列。光学填充因子也由常规方法的 64.3%提高至78.5% ,并且微透镜的点扩散函数也更接近理想值

引用

页码：1097 / 1102

页数：6

共 8 条

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