石墨烯掺杂的研究进展

被引：133

作者：

张芸秋

梁勇明

周建新

机构：

[1] 纳智能材料器件教育部重点实验室机械结构力学及控制国家重点实验室南京航空航天大学航空宇航学院

来源：

化学学报 | 2014年 / 72卷 / 03期

关键词：

石墨烯; 掺杂; 半导体; 带隙;

D O I：

暂无

中图分类号：

O613.71 [碳C];

学科分类号：

070301 [无机化学];

摘要：

石墨烯的p型和n型掺杂调控对于石墨烯基功能器件的构筑至关重要.近年来,随着化学气相沉积(CVD)石墨烯技术的发展和广泛应用,CVD石墨烯掺杂技术及相应性能调控的研究也取得了极大进展.本文主要介绍了近几年来石墨烯,特别是CVD生长石墨烯掺杂研究的发展,讨论了金属电极接触、气体小分子吸附、氧化性及还原性极性分子吸附及晶格掺杂等多种石墨烯掺杂的方法,同时介绍了近期出现的对双层石墨烯能带调控以及制造石墨烯p-n结的研究,展望了石墨烯掺杂对于其功能器件研究的作用和发展前景.

引用

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