CaSiO3:Eu的发光性质

被引:8
作者
于立新
曹林
杨殿范
张东丽
机构
[1] 吉林大学材料科学与工程学院
[2] 北京科技大学材料物理系
[3] 吉林大学材料科学与工程学院 长春
[4] 北京
[5] 长春
关键词
偏硅酸钙; 铕离子; 发光; 电荷补偿;
D O I
10.14062/j.issn.0454-5648.2003.09.018
中图分类号
TB34 [功能材料];
学科分类号
080501 ;
摘要
采用高温固相反应法合成出CaSiO3:Eu3+荧光体。研究了其荧光性质。样品的晶体结构为α-CaSiO3和β-CaSiO3的混合相,其激发光谱的峰位位于240,320,362,383,394,415 nm,分别对应于0→Eu的电荷迁移带和7F0.1—5H3,5D4,5GJ,5L6,5D3的吸收跃迁。在240 nm和394 nm激发下,Eu3+离子的5D0—7F2电偶极跃迁最强,表明Eu3+离子占据更多的非反演中心格位。研究了不同电荷补偿剂对发光性能的影响,以Li+离子的电荷补偿效果最好。
引用
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