低气压下绝缘子串直流污闪放电过程

被引:14
作者
张志劲
蒋兴良
孙才新
胡建林
苑吉河
机构
[1] 重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室
关键词
低气压; 直流; 绝缘子串; 污闪过程; 局部电弧;
D O I
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2009.04.005
中图分类号
TM216 [绝缘子和套管];
学科分类号
0805 ; 080502 ; 080801 ;
摘要
绝缘子污秽闪络事故严重威胁电力系统的安全可靠运行,目前国内外对污闪机理的研究主要是以平板模型为基础。本文借助于高速摄像机开展低气压下绝缘子串直流污闪过程研究,结果表明,低气压下绝缘子串直流污闪放电过程中局部电弧的产生与发展存在随机性,且存在多电弧现象;局部电弧发展过程中存在飘弧现象,即局部电弧由沿面电弧和空气间隙电弧两部分组成;低气压下染污绝缘子串闪络距离小于爬电距离;染污绝缘子串直流起弧电压比闪络电压约低15%~35%;低气压下染污绝缘子串更容易起弧,且海拔越高,局部电弧的燃弧时间越短;局部电弧形状与污秽、气压等有关。
引用
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页码:30 / 35+47 +47
页数:7
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