拉曼光谱方法研究SiC晶体的晶型

被引：8

作者：

冯敏

王玉芳

郝建民

蓝国祥

机构：

[1] 南开大学物理科学学院

[2] 信息产业部四十六研究所

[3] 南开大学物理科学学院天津

[4] 天津

来源：

关键词：

拉曼光谱; SiC; 晶体结构;

D O I：

10.13883/j.issn1004-5929.2003.03.008

中图分类号：

O782 [晶体生长工艺];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

本文采用拉曼光谱方法对改进Lely生长法制备的SiC单晶的结构进行了分析,结果表明:晶体的结构为6H,样品的内部缺陷较多,其中存在4H-SiC。另外我们还测量了SiC晶体的高阶拉曼谱,并对其进行了分析归属。从分析结果来看拉曼光谱是研究SiC的晶体结构和生长质量有效快捷的方法。

引用

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