二次烧成冷却条件对SrTiO3基晶界层电容器晶界结构及性能的影响

以化学计量配比的SrTiO3为基,采用PbO-Bi2O3-B2O3-CuO系氧化物为绝缘涂层,研究了二次烧成冷却条件对晶界层电容器晶界结构及性能的影响。实验结果表明,淬火有利于制备高表观介电常数的晶界层电容器。对炉冷和淬火样品的SEM/EDAX分析表明,淬火样品晶界以扩散层为主,第二相主要集中在三角晶界处,同时淬火样品晶界第二相成份比炉冷样品的要均匀,没有发生相分离。淬火样品晶界较少及均匀第二相的存在,是造成淬火样品性能比炉冷样品要好的原因。炉冷样品晶界第二相发生了相分离,第二相中有富Cu相和富Ti相析出。