偏磷酸盐掺杂对KDP晶体生长与光学性能的影响

被引：3

作者：

王圣来

高樟寿

傅有君

张吉果

孙洵

李义平

曾红

黄国松

杨镜新

庄亦飞

薛志玲

机构：

[1] 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国

来源：

光学学报 | 2002年 / 06期

关键词：

KDP晶体; 偏磷酸盐; 散射颗粒; 光伤阈值;

D O I：

暂无

中图分类号：

O775 []; O781 [晶体生长理论]; O734 [晶体的光学性质];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

研究了KDP晶体中散射颗粒形成的一种机理。掺杂微量偏磷酸盐即可使KDP晶体中出现散射颗粒 ,随着掺杂浓度提高 ,散射颗粒密度增大。散射颗粒形成的原因在于偏磷酸根具有PO4 四面体端基 ,在晶体生长时容易被生长晶面吸附进入晶格。偏磷酸盐掺杂影响了晶体的光学性能 ,晶体的光损伤阈值也明显地爱到掺杂的影响。

引用

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