SU-8胶光刻工艺研究

被引：49

作者：

张立国

陈迪

杨帆

李以贵

机构：

[1] 上海交通大学微纳米科学技术研究院

[2] 上海交通大学微纳米科学技术研究院上海

[3] 上海

来源：

光学精密工程 | 2002年 / 03期

关键词：

SU-8胶; 高深宽比; 光刻;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

SU - 8胶是一种基于环氧SU - 8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶。其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用。但是SU - 8胶对工艺参数的改变非常敏感。本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间、曝光时间及显影时间进行了研究 ,发现前烘时间和显影时间是影响图形分辨率及高深宽比的最主要的参数。随后给出了 2 0 0 μm厚SU - 8光刻胶的建议工艺条件 :2 0 0 μm/s甩胶 ,1h的 95°C前烘 ,近紫外光 (40 0nm)接触式曝光 ,95°C的中烘 30min ,PGMEA中显影 2 0min。另外对实验中实现的主要问题基片弯曲和光刻胶的难以去除作了一定的探讨 ,给出了合理化建议 :对于基片弯曲可采用以下四种措施来降低 ,降低中烘的温度同时增加中烘的时间、用厚硅片来代替薄硅片、对于薄硅片在前烘后可用金刚刀切成 4～ 8小片、适当的设计掩模板 ;对于光刻胶的去除用热丙酮泡、超声清洗、反应离子刻蚀和高温灰化法相结合 ,能达到较好的效果

引用

页码：266 / 269

页数：4

共 5 条

[1]

High-aspect ratio, ultrathick, negative-tone near-UV photoresist and its application for MEMS. Lorenz H,Despont M,Fahrni N,et al. Sensors and Actuators . 1998

[2]

3D microfabrication by combining microstereolithography and thick resist UV lithography. Bertsch A,Lorenz L,Renaud P. Sensors and Actuators . 1999

[3]

Use of SU-8 photoresist for very high aspect ratio x-ray lithography. Bogdanov L A,Peredkov S S. Microelectronics Engineering . 2000

[4]

Characterization of the polymerization of SU-8 photoresist and its application in microelectro-mechanical systems. Zhang J,Tan L K,Gong Q H. Polymer Testing . 2001

[5]

SU8 resist for low-cost X-ray patterning of high-resolution, high-aspect-ratio MEMS. Ghantal G,Khan M. Microelectronics Journal . 2002

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