InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

被引:4
作者
王晓晖
刘祥林
陆大成
袁海荣
韩培德
汪度
机构
[1] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室!北京
关键词
单量子阱; 绿光LED; MOVPE;
D O I
暂无
中图分类号
TN312 [二极管:按结构和性能分];
学科分类号
摘要
采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流的关系 .室温 2 0 m A的注入电流时 ,发光波长峰值为 530 nm,半高宽为 30 nm.注入电流小于 40 m A时 ,发光强度随注入电流单调递增
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共 3 条
[1]  
S.Nakamura,M.Senoh,N.Iwasa and S.Nagahama,Appl. Physics Letters . 1 995
[2]  
S.Nakamura,M.Senoh,N.Iwasa and S.Nagahama,Jpn. Journal of Applied Physiology . 1 995
[3]  
S.Nakamura,T.Mukai and M.Senoh,Appl. Physics Letters . 1 994