InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

被引：4

作者：

王晓晖

刘祥林

陆大成

袁海荣

韩培德

汪度

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室!北京

来源：

关键词：

单量子阱; 绿光LED; MOVPE;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312 [二极管：按结构和性能分];

学科分类号：

摘要：

采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流的关系 .室温 2 0 m A的注入电流时 ,发光波长峰值为 530 nm,半高宽为 30 nm.注入电流小于 40 m A时 ,发光强度随注入电流单调递增

引用

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