CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析

被引：22

作者：

贺朝会

李国政

罗晋生

刘恩科

机构：

[1] 西安交通大学电信学院!西安西北核技术研究所西安,西北核技术研究所!西安,西安交通大学电信学院!西安,西安交通大学电信学院!西安

来源：

半导体学报 | 2000年 / 02期

关键词：

CMOSSRAM; 单粒子翻转; 临界电荷; 恢复时间; 反馈时间;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

分析了影响ＣＭＯＳＳＲＡＭ单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程．给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，提出了器件抗单粒子翻转的加固措施．对电荷收集过程中截止管漏极电位的变化进行了分析，提出了临界电荷新定义，并给出了判断带电粒子入射能否导致器件发生单粒子翻转效应的方法

引用

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