未找到相关数据
表面覆膜SnO半导体氢敏元件
被引：2
作者：
穆宝贵
黎丽琳
机构：
[1] 哈尔滨通江晶体管厂
来源：
关键词：
半导体气敏;
覆膜处理;
D O I：
10.13873/j.1000-97871991.01.007
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
在制备烧结体SnO2半导体气敏元件的基础上,对元件表面进行了覆膜处理,得到具有高选择性的氢气敏感元件。
引用
收藏
页码：31 / 34
页数：4
相关论文