ICP-AES研究纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能

被引：12

作者：

杭义萍

秦永超

江祖成

胡斌

机构：

[1] 武汉大学化学与分子科学学院,武汉大学化学与分子科学学院,武汉大学化学与分子科学学院,武汉大学化学与分子科学学院湖北武汉华南理工大学应用化学系,广东广州,湖北武汉,湖北武汉,湖北武汉

来源：

光谱学与光谱分析 | 2005年 / 07期

关键词：

纳米二氧化钛; 吸附; ICP-AES; Ga; In; Tl; 分离富集;

D O I：

暂无

中图分类号：

O647.3 [吸附]; O657.3 [光化学分析法（光谱分析法）];

学科分类号：

070304 ; 081704 ; 070302 ;

摘要：

研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。实验结果表明:在最佳pH条件下,Ga,In,Tl能定量、快速地被吸附在纳米TiO2材料上;其静态吸附容量为:Ga48·6mg·g-1,In46·6mg·g-1和Tl23·4mg·g-1;被吸附在纳米TiO2上的金属离子能采用0·1mol·L-1EDTA+1·0mol·L-1HNO3混合溶液定量洗脱,其回收率均大于92%。当富集倍数为12·5时,本法对Ga(Ⅲ),In(Ⅲ),Tl(Ⅰ)的检出限分别为3·0,6·0,13ng·mL-1。计算了相应的相对标准偏差(RSD%)分别为1·85%,1·96%,3·40%,该方法已成功地应用于地质样品中痕量Ga(Ⅲ),In(Ⅲ),Tl(Ⅰ)的测定,结果满意。

引用

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页数：4

共 10 条

[1] 载铈纳米TiO2粉体的制备及其反射光谱特性研究 [J].