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电力半导体器件的最新发展动向
被引：3
作者：
王彩琳
机构：
[1] 西安电力电子技术研究所
来源：
关键词：
电力半导体器件,硅,材料,碳化硅;
D O I：
10.13250/j.cnki.wndz.1999.01.005
中图分类号：
TN35 [半导体整流器];
学科分类号：
摘要：
综述了电力半导体器件的最新发展动向，介绍了几种新型的电力半导体器件，指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。
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