添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响

被引：8

作者：

吕振林

高积强

王红洁

金志浩

不详

机构：

[1] 西安交通大学!

[2] 西安

[3] 西安

来源：

西安交通大学学报 | 2000年 / 02期

关键词：

碳化硅; 掺杂; 电阻率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174.5 [陶瓷生产机械制造];

学科分类号：

摘要：

研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响.试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析,可知在室温与高温下,加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率,随着Ni、Mo和Al加入量的增加,碳化硅的室温电阻率也下降.其中,Ni、Mo对反应烧结碳化硅电阻率的影响比Al大.在烧结过程中,Ni、Mo分别与液态Si反应,并在碳化硅粒子界面处生成Ni2Si3和Mo3Si5相,Al则固溶在碳化硅和游离硅中

引用

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