Al掺杂T-ZnO晶须的光致发光及场发射性能

被引：5

作者：

范希梅

周祚万

李艳霞

张会广

机构：

[1] 材料先进技术教育部重点实验室

来源：

西南交通大学学报 | 2008年 / 43卷 / 06期

关键词：

T-ZnO; 晶须; 场发射性能; 紫外光发射; Al掺杂;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB34 [功能材料];

学科分类号：

080501 ;

摘要：

用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373～383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510～540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.

引用

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