不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征

被引：15

作者：

颜肖慈

罗明道

曾晖

张高勇

机构：

[1] 武汉大学化学与分子科学学院,武汉大学化学与分子科学学院,武汉大学化学与分子科学学院,武汉大学化学与分子科学学院武汉,武汉,武汉,武汉中国日用化学工业研究院太原

来源：

化学学报 | 2004年 / 19期

关键词：

不同疏水基表面活性剂; 从头算; Onsager模型; 表面张力;

D O I：

暂无

中图分类号：

O647.2 [表面活性物质的化学];

学科分类号：

070305 [高分子化学与物理];

摘要：

用从头算法RHF/6 3 1G 和Onsager溶剂模型分别优化了不同疏水端基表面活性剂阴离子溶剂化前后的几何构型 ,得到气态和溶剂化的总能量、电荷分布、偶极矩、极化能等 .比较了它们溶剂化前后的构型变化和电子结构特征 .在RHF/6 3 1G 平台上探讨了不同疏水端基影响阴离子表面活性剂表面张力的内在原因 .

引用

页码：1948 / 1950

页数：3

共 5 条

[1]

烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究 [J].