光刻胶的发展及应用

被引：25

作者：

郑金红

机构：

[1] 北京化学试剂研究所

来源：

精细与专用化学品 | 2006年 / 16期

关键词：

集成电路; 光刻胶; 感光剂;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。

引用

页码：24 / 30

页数：7

共 10 条

[1] 高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米 [J].

Aaron Hand .

集成电路应用, 2006, (06) :15-15

[2] 先进光刻技术大步向前 [J].

Aaron Hand .

集成电路应用, 2006, (05) :22-22

[3] 无掩模光刻技术的前景 [J].

翁寿松 ;

缪彩琴 .

电子工业专用设备, 2005, (08) :1-3

[4] ULSI用193nm光刻胶的研究进展 [J].

郑金红 ;

黄志齐 ;

文武 .

精细化工, 2005, (05) :348-353

[5] 光刻技术最新进展 [J].

莫大康 .

电子产品世界, 2004, (11) :97-99

[6] 我国超净高纯试剂和光刻胶的现状与发展 [J].

曹立新 .

半导体技术, 2003, (12) :12-16+21

[7] 248nm深紫外光刻胶 [J].

郑金红 ;

黄志齐 ;

侯宏森 .

感光科学与光化学, 2003, (05) :346-356

[8]

半导体资本支出透视[J]. 翁寿松.半导体.光伏行业. 2005 (04)

[9]

半导体制造技术[M]. 电子工业出版社 , (美)MichaelQuirk, 2004

[10]

电子化学品[M]. 化学工业出版社 , 孙忠贤主编, 2001

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