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ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂
被引：8
作者：
许毓春
李慧峰
王礼琼
王士良
机构：
[1] 华中理工大学固体电子学系
来源：
关键词：
氧化锌,压敏陶瓷,一价金属离子,掺杂;
D O I：
暂无
中图分类号：
TM282 [压电陶瓷材料];
学科分类号：
摘要：
本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强。如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿，则会使大电流区的非线性变差
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