压阻加速度计的Au-Si共晶键合

被引：14

作者：

王翔

张大成

李婷

王玮

阮勇

李修函

王小保

杜先锋

机构：

[1] 北京大学微电子学研究所

[2] 北京大学微电子学研究所北京

[3] 北京

来源：

半导体学报 | 2003年 / 03期

关键词：

金; 硅; 共晶键合; 压阻式加速度计;

D O I：

暂无

中图分类号：

TH824.2 [];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论 .

引用

页码：332 / 336

页数：5

共 9 条

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