基于IGBT门驱动减小PWM逆变器死区影响的策略

被引:5
作者
朱思国
欧阳红林
金永顺
孙建明
机构
[1] 湖南大学电气与信息工程学院
关键词
电压源型逆变器; 死区时间; PWM信号;
D O I
暂无
中图分类号
TM464 [逆变器];
学科分类号
080508 [光电信息材料与器件];
摘要
提出了一种新颖的IGBT门驱动方法,对于PWM电压源型逆变器,其容易在IG-BT的门驱动器中实现。用这种方法,逆变器同一相的上、下IGBT可以接收理想的没有死区的PWM信号,并且不会引起直通问题。描述了所提出IGBT门驱动方法的原理,并且仿真结果证明了该方法的正确性。
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