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基于IGBT门驱动减小PWM逆变器死区影响的策略
被引:5
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
朱思国
论文数:
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机构:
欧阳红林
论文数:
引用数:
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机构:
金永顺
孙建明
论文数:
0
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0
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0
机构:
湖南大学电气与信息工程学院
孙建明
机构
:
[1]
湖南大学电气与信息工程学院
来源
:
电气应用
|
2007年
/ 01期
关键词
:
电压源型逆变器;
死区时间;
PWM信号;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM464 [逆变器];
学科分类号
:
080508
[光电信息材料与器件]
;
摘要
:
提出了一种新颖的IGBT门驱动方法,对于PWM电压源型逆变器,其容易在IG-BT的门驱动器中实现。用这种方法,逆变器同一相的上、下IGBT可以接收理想的没有死区的PWM信号,并且不会引起直通问题。描述了所提出IGBT门驱动方法的原理,并且仿真结果证明了该方法的正确性。
引用
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页码:73 / 76
页数:4
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