SOI—二十一世纪的微电子技术

被引：9

作者：

林成鲁

张苗

机构：

[1] 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海

[2] 不详

来源：

功能材料与器件学报 | 1999年 / 01期

关键词：

绝缘上层硅; 离子注入; 注氧隔离SOI; 智能剥离SOI;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN4 [微电子学、集成电路（IC）];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

与体硅材料和器件比较，SOI具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等，因而被称为二十一世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注．SOI技术正走向商业应用阶段，特别是应用于高性能、低功耗CMOS电路，抗辐照器件和高温电子器件等。本文综述了SOI材料和器件的最新进展．

引用

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页数：7

共 3 条

[1]

SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究[J]. 林成鲁,俞跃辉,方子韦,张顺开,倪如山,邹世昌,李金华,P.L.F.Hemment.中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学). 1990(09)

[2]

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[3] OPTICAL EFFECTS OF DOPED TOP LAYERS IN SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES FORMED BY ION-IMPLANTATION [J].

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ZOU, SC .

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