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n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究
被引：4
作者：
李志国
赵瑞东
李学信
郭伟玲
程尧海
张斌
机构：
[1] 北京工业大学
[2] 电子部所
[3] 南京
来源：
关键词：
肖特基势垒;
金属;
金属-半导体接触;
金属材料;
GaAs;
n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au;
电徙动;
Ti;
失效物理;
失效机理;
Mo;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN306 [可靠性及例行试验];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏（HRB）。2.高温反偏（HTRB）。3.高温正向大电流（HFGC）。4.高温贮存（HTS）。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。
引用
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页数：7
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