真空退火引起的VOx薄膜生长过程的变价问题研究

被引：4

作者：

周围

林理彬

葛风玉

左长明

赵纯培

机构：

[1] 四川联合大学物理系国家教委辐射物理及技术开放实验室

来源：

关键词：

VO2,真空,蒸发,退火;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

本文以Ｖ２Ｏ５粉末为原料，采用真空蒸发镀膜与真空退火相结合的方法，在载玻片和单晶Ｓｉ（１００）衬底上得到了ＶＯ２为主的薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对不同退火条件下所得膜的价态组份进行了分析，得到了膜中Ｖ的价态与退火温度、退火时间以及膜厚的关系。

引用

页码：53 / 55

页数：3