导电聚吡咯对阴离子深度分布的XPS研究

被引：3

作者：

郭可珍

李永舫

潘承璜

钱人元

机构：

[1] 中国科学院化学研究所

来源：

化学学报 | 1990年 / 01期

关键词：

电子能谱; 表面层; 流体层; 深度分布; 束缚能; 结合能; 谱峰面积; 阴离子; XPS;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 导电聚吡咯是在电化学聚合过程中聚吡咯部分转移电子给电极,然后嵌入对离子的产物.现有的实验事实证明,在导电聚吡咯的厚度方向对阴离子的浓度分布非常均匀,这些实验结果是从横截面的电子探针法取得,但对100 A 以内表面层中对阴离子浓度的分布是否均匀是不清楚的.本工作试图用X射线光电子能谱的电子起飞角依赖性来得到在几十 A 表面层内的对阴离子浓度分布.

引用

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