铝靶脉冲反应溅射沉积氧化铝薄膜中的迟滞回线的研究

被引：36

作者：

茅昕辉

刘云峰

张浩康

陈国平

机构：

[1] 东南大学薄膜研究所!南京

来源：

关键词：

迟滞回线; 反应溅射; 脉冲溅射; 氧化铝薄膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

采用脉冲磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验 ,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过给出靶面刻蚀区氧化层厚度与氧分压之间的关系 ,解释了薄膜沉积速率变化的原因。

引用

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