氮化铝薄膜的低温沉积附视频

被引:17
作者
孙剑
吴嘉达
应质峰
施维
凌浩
周筑颖
丁训民
王康林
李富铭
机构
[1] 复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海
关键词
氮化铝; 低温沉积; 薄膜;
D O I
暂无
中图分类号
TN304 [材料];
学科分类号
080906 [电磁信息功能材料与结构];
摘要
介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成
引用
收藏
页码:914 / 917
页数:4
相关论文
共 1 条
[1]
Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜 [J].
张伟 ;
张仕国 ;
袁骏 .
半导体学报, 1997, (08) :568-572