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氮化铝薄膜的低温沉积附视频
被引:17
作者
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孙剑
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吴嘉达
应质峰
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复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海
应质峰
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施维
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凌浩
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周筑颖
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丁训民
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王康林
李富铭
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机构:
复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海
李富铭
机构
:
[1]
复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海
来源
:
半导体学报
|
2000年
/ 09期
关键词
:
氮化铝;
低温沉积;
薄膜;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN304 [材料];
学科分类号
:
080906
[电磁信息功能材料与结构]
;
摘要
:
介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成
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相关论文
共 1 条
[1]
Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜
[J].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张伟
;
论文数:
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机构:
张仕国
;
论文数:
引用数:
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机构:
袁骏
.
半导体学报,
1997,
(08)
:568
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共 1 条
[1]
Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜
[J].
论文数:
引用数:
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机构:
张伟
;
论文数:
引用数:
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机构:
张仕国
;
论文数:
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机构:
袁骏
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半导体学报,
1997,
(08)
:568
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