气雾化低钴贮氢AB5型合金的电化学性能和Rietveld分析

被引：6

作者：

经海

张曙光

张少明

郭宏

马自力

卢彩涛

石力开

机构：

[1] 北京有色金属研究总院!北京

来源：

稀有金属 | 2001年 / 04期

关键词：

气体雾化; 贮氢合金; 钴; Rietveld法;

D O I：

10.13373/j.cnki.cjrm.2001.04.002

中图分类号：

TG139.7 [];

学科分类号：

摘要：

用快速凝固气体雾化法制备了低钴系列贮氢合金MlNi4 .3 -xCoxMn0 .4 Al0 .3 (x =0 75 ,0 45 ,0 2 9,0 1,Ml为富镧混合稀土 )并测试其电化学性能。气雾化法可显著提高贮氢合金电极的充放电循环稳定性 ,x =0 45时合金的循环寿命与商用铸态合金的寿命相当。最大放电容量随着Co含量的增加 ,先增大后减小 ,在x=0 2 9时出现极大值 (30 4 4mAh/g)。结合循环寿命和最大放电容量两个性能指标 ,x =0 45时的合金具有良好的综合电化学性能。采用Rietveld法 (多晶衍射图形拟合法 )对其精细结构进行分析 ,合金仍保持母合金LaNi5的CaCu5型六方晶系结构 ,合金的晶胞体积对其循环寿命和最大放电容量起决定作用

引用

页码：247 / 251

页数：5

共 10 条

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