新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉

被引：83

作者：

孙晓园

张家骅

张霞

刘慎薪

蒋大鹏

王笑军

机构：

[1] 中国科学院激发态物理重点实验室

来源：

发光学报 | 2005年 / 03期

关键词：

白光LED; 白光荧光粉; 单一白光荧光粉;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN104 [电真空器件材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

首次报道单一Sr2MgSiO5∶Eu2+材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250～450nm的紫外区,利用该荧光粉和具有400nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20mA时,色温为5664K;发光色坐标为x=0.33,y=0.34;显色指数为85%;光强达8100cd/m2。实验表明,器件的色坐标和显色指数等参数随正向驱动电流的变化起伏量小于5%,优于目前商用的蓝光管芯泵浦白光LED,报道的单一白光荧光粉在新一代白光LED照明领域具有广阔的应用前景。

引用

页码：404 / 406

页数：3

共 5 条

[1]

The bluelaserdiode. NAKAMURAS,FASOLG. . 1996

[2]

n-UV+blue /green /red white light em itting diode lamps. Kuo C H,Sheu JK,Chang S J,et al. Japanese Journal of Applied Physics . 2003

[3]

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[4]

Warm white lightemittingdiodeutilizingasingle phasefull colorBa3MgSi2O8∶Eu2+,Mn2+phosphor. KimJS,JeonPE,ChoiJC,etal. Applied Physics Letters . 2004

[5]

GaN-based white-light-emitting diodes fabricated with a mixture of Ba3MgSi208:Eu2+ and Sr2SiO4:Eu2+ phosphors. Kim J S,Kang J Y,Jeon P E et al. Jpn J. Appl Phys Part 1 . 2004

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