9μm截止波长128×128AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列(英文)

被引：2

作者：

李献杰

刘英斌

冯震

过帆

赵永林

赵润

周瑞

娄辰

张世祖

机构：

[1] 河北半导体研究所

来源：

半导体学报 | 2006年 / 08期

关键词：

Al GaAs/GaAs ; 量子阱红外探测器; 红外热成像;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1·5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8·4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB*为3·95×108(cm·Hz1/2)/ W.将128×128元Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.

引用

页码：1355 / 1359

页数：5

共 3 条

[1] Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的光荧光表征 [J].