高掺杂浓度Yb∶YAG晶体的生长及光谱性能

被引：7

作者：

徐晓东

赵志伟

宋平新

周国清

邓佩珍

徐军

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所

[2] 中国科学院上海光学精密机械研究所上海

[3] 上海

来源：

中国激光 | 2004年 / 08期

关键词：

材料; Yb∶YAG晶体; 提拉法; 晶体生长; 光谱特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

应用中频感应提拉法生长了掺杂浓度高达 5 0at. %的Yb∶YAG晶体 ,研究了室温下Yb∶YAG晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命 ,在 939nm和 96 9nm处存在Yb3 + 离子的 2个吸收带 ,能与InGaAs激光二极管(LD)有效耦合 ,适合激光管二极抽运。其荧光主峰位于 10 32nm附近 ,Yb∶YAG晶体的荧光寿命为 390 μs。比较了高掺杂与低掺杂Yb∶YAG晶体的光谱参数 ,指出高掺杂Yb∶YAG晶体是一种很有前景的高功率激光增益介质

引用

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