用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性(英文)

被引：2

作者：

隋晓红

陈治明

赵敏玲

余宁梅

王立志

机构：

[1] 西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系西安,西安,西安,西安,西安

来源：

半导体学报 | 2003年 / 12期

关键词：

DC-DC变换器; CMOS工艺; 单片集成;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

介绍了一种具有改进电路结构和改进工艺的单片集成 3.3V/ 1.2 V开关电容 DC- DC变换器 ,其控制脉冲频率和固定导通比分别为 10 MHz和 0 .5 .为了提高变换器的输出电流 ,采用 CMOS工艺来制造电路中的开关器件和改进的互补型电路结构 .使用 Hspice电路仿真软件得到的仿真结果表明改进变换器的单个单元电路和互补型电路可使输出电流分别达到 12 .5 m A和 2 6 m A,且后者的功率转换效率为 73% ,输出电压纹波小于 1.5 % .变换器在日本东京大学的标准 Rohm 0 .35 μm CMOS工艺线上投片试制 ,测试结果显示 ,使用 CMOS开关的变换器单元电路的输出电流为 9.8m A.

引用

页码：1239 / 1243

页数：5