Bi12SiO20晶体的生长习性

被引：6

作者：

魏世道

张尚安

刘庆生

韩奇阳

机构：

[1] 中国科学院安徽光学精密机械研究所

来源：

硅酸盐学报 | 1991年 / 06期

关键词：

单晶生长; 周期键; 晶体形态;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.1991.06.006

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

分别沿[001],[110]及[111]3种方向用提拉法生长Bi12SiO20晶体,研究了生长条件对晶体形态的影响。应用PBC理论,分析了各晶面的特性:{100}和{110}为F面,{211}为S面,{111}属于K面。并依据连接能的计算,得到晶面的重要性顺序。PBC解析形态与在特定条件下生长的晶体形态相当一致。

引用

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