MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性附视频

被引：5

作者：

余学峰

任迪远

艾尔肯

张国强

陆妩

郭旗

机构：

[1] 中国科学院新疆理化技术研究所

来源：

半导体学报 | 2005年 / 10期

关键词：

热载子注入; 总剂量辐照; 相关性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

摘要：

通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的.进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用.

引用

页码：1975 / 1978

页数：4